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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD87330Q3D
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD87330Q3D - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD87330Q3D
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD87330Q3D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerLDFN
Datenblatt
CSD87330Q3D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50410

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Anzahl

Spezifikation

CSD87330Q3D Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD87330Q3D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD87330Q3D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-LSON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 6W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerLDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer CSD87330  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD87330Q3D.

Produkteigenschaften CSD87330Q3D CSD87335Q3D CSD87313DMST CSD87351Q5D
Artikelnummer CSD87330Q3D CSD87335Q3D CSD87313DMST CSD87351Q5D
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Grundproduktnummer CSD87330 CSD87335Q3 CSD87313 CSD87351
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A - - 32A
Leistung - max 6W 6W 2.7W 12W
FET-Merkmal Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-LSON (3.3x3.3) 8-LSON (3.3x3.3) 8-WSON (3.3x3.3) 8-LSON (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V 7.4nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V 7.7nC @ 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN 8-PowerWDFN 8-PowerLDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V 1050pF @ 15V 4290pF @ 15V 1255pF @ 15V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - 7.6mOhm @ 20A, 8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual)

CSD87330Q3D Datenblatt PDF

Laden Sie CSD87330Q3D PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD87330Q3D - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf
PCN -Verpackung
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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