Der SS8550 ist ein PNP -Transistor, der häufig für seine Anpassungsfähigkeit in einer Reihe elektronischer Anwendungen ausgewählt wird.Bekannt für die Verwaltung einer niedrigen Spannung mit der Kapazität zur Unterstützung hoher Strom hat es einen Kollektorstrom maximal 1,5 A. Diese Eigenschaften fördern seine Verwendung in Schaltungen, die eine effiziente Niederspannungsverstärkung oder veränderte Schaltvorgänge erfordern.Die Fähigkeit dieses Transistors, bei niedriger Spannung einen erheblichen Strom zu bewältigen, ist bei Stromverwaltungsschaltungen, Audioverstärkern und Signalverarbeitungseinheiten sehr wertvoll.Das zuverlässige aktuelle Management macht es sowohl für analoge als auch für digitale Schaltungen geeignet.
• SS9012
• SS9015
PIN -Nummer |
Pin -Name |
Beschreibung |
1 |
Emitter |
Der Emitter -PIN veröffentlicht Ladungsträger.In Schaltung
Anwendungen, seine korrekte Orientierung ist gut zur Verbesserung des Stromflusses und gut
Gewährleistung der Stabilität des Transistors. |
2 |
Base |
Fungiert als Steuertor, indem der Fluss von reguliert wird
Gebühren vom Emitter zum Sammler.Das Modulieren des Basisstroms ist der Schlüssel
Zur Anpassung der Verstärkungsniveaus zur Erzielung der gewünschten Leistung
in Schaltungskonfigurationen. |
3 |
Kollektor |
Der Endpunkt für das Sammeln von Gebührenträgern.Richtig
Verbindung und Ausrichtung sind erforderlich, um die Effizienz zu maximieren und zu minimieren
Energieverlust, da Fehlausrichtungen die Leistung der Leistung beeinflussen können
Schaltung. |
Der SS8550-Transistor ist für seine erheblichen betrieblichen Kompetenz bekannt, vor allem als 2W-Ausgangsverstärker, der perfekt für tragbare Funkgeräte mithilfe von Push-Pull-Konfigurationen der Klasse B geeignet ist.Es passt mühelos zum SS8050 -Gegenstück und bildet ein leistungsstarkes elektronisches Duo, das die Leistung von kompakten Geräten verstärkt.Eine gründliche Untersuchung seiner Eigenschaften zeigt eine Kollektorbasisspannung von 40 V und eine Leistungsdissipationskapazität von 1W unter thermischen Bedingungen.
Das Design bietet einen breiten Temperaturbereich von -55 ° C bis +150 ° C, sodass es in verschiedenen Umgebungen zuverlässig funktionieren kann.Der SS8550 hält sich an ROHS -Standards und spiegelt ein Engagement für die umweltfreundliche Fertigung wider, entsprechend den globalen Nachhaltigkeitsbewegungen.Es gibt ein bemerkenswertes Zusammenspiel zwischen der Einhaltung solcher Standards und Präferenzen, was darauf hinweist, dass die Einhaltung nicht nur die Umwelt schützt, sondern auch das Vertrauen steigert.
Technische Spezifikationen, Attribute und Parameter des SS8550 von Semiconductor sowie Teile, die dem SS8550DBU ähneln.
Typ |
Parameter |
Lebenszyklusstatus |
Aktiv (zuletzt aktualisiert: vor 2 Tagen) |
Montieren |
Durch Loch |
Paket / Fall |
To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) |
Gewicht |
179mg |
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung |
25 V |
hfe min |
85 |
Verpackung |
Schüttgut |
JESD-609 Code |
E3 |
Teilstatus |
Aktiv |
Anzahl der Terminen |
3 |
Terminal Finish |
Zinn (sn) |
Max -Leistungsdissipation |
1W |
Aktuelle Bewertung |
-1.5a |
Basisteilnummer |
SS8550 |
Fabrikvorlaufzeit |
7 Wochen |
Montagetyp |
Durch Loch |
Anzahl der Stifte |
3 |
Transistorelementmaterial |
SILIZIUM |
Anzahl der Elemente |
1 |
Betriebstemperatur |
150 ° C tj |
Veröffentlicht |
2017 |
Pbfree Code |
Ja |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) |
1 (unbegrenzt) |
ECCN -Code |
Ear99 |
Spannung - DC bewertet |
-25v |
Endposition |
UNTEN |
Frequenz |
200 MHz |
Elementkonfiguration |
Einzel |
Leistungsdissipation
|
1W |
Gewinne Bandbreitenprodukt |
200 MHz |
Transistoranwendung |
VERSTÄRKER |
Polarität/Kanaltyp |
PNP |
Kollektoremitterspannung (VCEO) |
25 V |
Gleichstromverstärkung (HFE) (min) @ IC, VCE |
160 @ 100 mA 1V |
VCE -Sättigung (max) @ ib, IC |
500mv @ 80 mA, 800 mA |
Kollektorbasisspannung (VCBO) |
-40V |
Übergangsfrequenz |
200 MHz |
Emitterbasisspannung (VEBO) |
-6v |
Strom - Sammler Cutoff (max) |
100NA ICBO |
Max -Sammlerstrom |
1,5a |
Strahlenhärtung |
NEIN |
Frei führen |
Frei führen |
SVHC erreichen |
Kein SVHC |
ROHS -Status |
ROHS3 -konform |
Teilenummer |
Beschreibung |
Hersteller |
SS8550DBU |
1500 mA, 25 V, PNP, SI, Small Signal Transistor, bis 92 |
Rochester Electronics LLC |
SS8550DBU |
Durch Loch, Sammleremitter -Breakdown -Spannung 25 V,
Max -Kollektorstrom 1,5 A, Übergangsfrequenz 200 MHz, Sammleremitter
Sättigungsspannung -280 mV, Hfe min 85, Max -Leistungsdissipation 1 W |
Auf Halbleiter |
KSB564AOBU |
Durch Loch, Sammleremitter -Breakdown -Spannung 25 V,
Max -Kollektorstrom 1,5 A, Übergangsfrequenz 200 MHz, Sammleremitter
Sättigungsspannung -280 mV, Hfe min 85, Max -Leistungsdissipation 1 W |
Auf Halbleiter |
SS8550CBU |
Durch Loch, Sammleremitter -Breakdown -Spannung 25 V,
Max -Kollektorstrom 1,5 A, Übergangsfrequenz 200 MHz, Sammleremitter
Sättigungsspannung -280 mV, Hfe min 85, Max -Leistungsdissipation 1 W |
Auf Halbleiter |
SS8550BBU |
Durch Loch, Sammleremitter -Breakdown -Spannung 25 V,
Max -Kollektorstrom 1 A, Sammler -Emittersättigungsspannung -500 mV, HFE
Min 70, maximale Leistungsdissipation 800 W. |
Auf Halbleiter |
Der SS8550 -Transistor findet sowohl bei Switching- als auch in RF -Anwendungen (Funkfrequenz) einen umfassenden Einsatz und zeigt seine außergewöhnliche Anpassungsfähigkeit.Diese Komponente wird für ihre erhebliche Stromverstärkung und beeindruckende Frequenzfähigkeiten bewertet, Merkmale, die ihre Wirksamkeit bei der Signalverstärkung und des elektrischen Strommanagements über einen weiten Bereich von elektronischen Systemen verbessern.Die Integration in verschiedene Geräte zeigt, wie wichtig es ist, Komponenten mit genauen Spezifikationen für eine hervorragende Leistung auszuwählen.Insbesondere bei Kommunikationsgeräten spielt seine Kenntnisse im Umgang mit hohen Frequenzen eine Rolle bei der Aufrechterhaltung der Signalintegrität und Klarheit, integralen Aspekten in der sich schnell entwickelnden technologischen Welt von heute.
Auf dem Halbleiter stechen durch die Erstellung fortschrittlicher Siliziumlösungen auf, die die Betriebseffizienz elektronischer Geräte über verschiedene Anwendungen hinweg verbessern.Sie konzentrieren sich auf Sektoren wie Automobil-, Kommunikations- und LED -Beleuchtung und verbinden hoch entwickelte Technologien mit nachhaltigen Praktiken.Da sich die Gesellschaft stark nach energieeffizienten Innovationen sucht, werden diese Wünsche zunehmend mit den Beiträgen von Semiconductor angesprochen.Bei Halbleiter priorisiert die Schaffung von umweltfreundlichen Produkten und stützt sich auf ihr expansives Wissen der Branche.Ihre Entschlossenheit erstreckt sich auf die Minimierung der Umweltauswirkungen durch hochmoderne Herstellungstechniken und spiegelt eine Synergie mit weltweiten Nachhaltigkeitszielen wider.Diese Bemühungen prägen einen nachhaltigeren Weg in der Elektronikproduktion.
Kupfer -Lead -Rahmen 12/Okt/2007.pdf
Mult -Geräte 24/Oktober/2017.pdf
Kupfer -Lead -Rahmen 12/Okt/2007.pdf
Mult -Geräte 24/Oktober/2017.pdf
Bitte senden Sie eine Anfrage, wir werden sofort antworten.
Eine Triode wie der SS8550 spielt eine Rolle bei der Signalverstärkung und erfasst die Essenz des Umwandelns von schwachen Flüstern elektrischer Signale in erkennbarere.In elektronischen Schaltkreisen erhöht es schwache Signale auf Pegel, die effektiv genutzt werden können.Die Triode funktioniert mit einer subtilen Berührung an ihrer Basis und erleichtert einen umfangreicheren Stromfluss zwischen Kollektor und Emitter, was eine präzise Signalmodulation ermöglicht.Eine aufschlussreiche Wahl der Triode, die auf den gewünschten Schaltkreis zugeschnitten ist, hängt von einem scharfen Verständnis von Parametern wie Gewinn, Frequenzgang und thermischer Stabilität ab.Wenn Sie Schaltungen entwickeln, können diese Eigenschaften das Potenzial über verschiedene Anwendungen hinweg ausschrecken, die von den resonanten Melodien von Audiogeräten bis hin zur expansiven Reichweite von Kommunikationsgeräten reichen.
Der SS8550 kann einen Spitzenkollektorstrom von 1,5 a bewältigen und seine Schwelle markieren, bevor übermäßige Wärme oder elektrische Belastung das Wohlbefinden bedroht.Wachsames thermisches Management ist erforderlich, da dieser Strom zu einem thermischen Ausreißer führen kann, ein gefährlicher Temperaturanschlag mit zerstörerischem Potenzial des Transistors.Das Implementieren von Maßnahmen wie Kühlkörper oder Auswahl von Komponenten mit einer natürlich höheren Stromverträglichkeit kann als Schutz vor solchen Risiken dienen.Die Aufrechterhaltung des Transistors innerhalb sicherer Betriebsgrenzen ist eine Kunst, die die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des Geräts verbessert und einen tiefen Respekt für das empfindliche Gleichgewicht widerspiegelt.
auf 2024/11/8
auf 2024/11/8
auf 1970/01/1 3108
auf 1970/01/1 2672
auf 0400/11/15 2209
auf 1970/01/1 2182
auf 1970/01/1 1802
auf 1970/01/1 1774
auf 1970/01/1 1728
auf 1970/01/1 1673
auf 1970/01/1 1670
auf 5600/11/15 1632