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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N6667G
2N6667G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N6667G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2N6667G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2N6667G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
2N6667,2N6668.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4740

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Anzahl

Spezifikation

2N6667G Tech -Spezifikationen
onsemi - 2N6667G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2N6667G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A  
Transistor-Typ PNP - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  
Grundproduktnummer 2N6667  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2N6667G.

Produkteigenschaften 2N6667G 2N6667 2N6678 2N6715
Artikelnummer 2N6667G 2N6667 2N6678 2N6715
Hersteller onsemi onsemi Solid State Inc. onsemi
Leistung - max 2 W 2 W - 1 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 60 V - 40 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-204AA, TO-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 3V 1000 @ 5A, 3V - 50 @ 1A, 1V
Serie - - - -
Paket Tube Tube Bulk -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA 1mA - -
Grundproduktnummer 2N6667 2N6667 - 2N6715
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-3 TO-92-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A 3V @ 100mA, 10A - 500mV @ 100mA, 1A
Frequenz - Übergang - - - 500MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 10 A - 2 A
Transistor-Typ PNP - Darlington PNP - Darlington NPN NPN
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

2N6667G Datenblatt PDF

Laden Sie 2N6667G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2N6667G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Tes.pdf
Datenblätter
2N6667,2N6668.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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