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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2N6660
2N6660 Image
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2N6660 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
2N6660
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2N6660
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datenblatt
2N6660.pdf
vorrätig: 2643

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Spezifikation

2N6660 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - 2N6660 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - 2N6660

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-39  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bag  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 24 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 410mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology 2N6660.

Produkteigenschaften 2N6660 2N6661 2N6661 2N6660
Artikelnummer 2N6660 2N6661 2N6661 2N6660
Hersteller Microchip Technology Vishay Siliconix Microchip Technology Solid State Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 90 V 90 V 60 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 410mA (Ta) 860mA (Tc) 350mA (Tj) 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 24 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 24 V 50 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±40V
Serie - - - -
Paket Bag Tube Bag Box
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Verlustleistung (max) 6.25W (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

2N6660 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N6660 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für 2N6660 - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Datenblätter
2N6660.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New DeviceDoc 30/Mar/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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