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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2V7002KT1G
2V7002KT1G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2V7002KT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2V7002KT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2V7002KT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
2N/V7002K Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 532350

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Anzahl

Spezifikation

2V7002KT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - 2V7002KT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2V7002KT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 300mW (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 320mA (Ta)  
Grundproduktnummer 2V7002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2V7002KT1G.

Produkteigenschaften 2V7002KT1G STP260N6F6 IRFZ44ZPBF AON2411
Artikelnummer 2V7002KT1G STP260N6F6 IRFZ44ZPBF AON2411
Hersteller onsemi STMicroelectronics Infineon Technologies Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Grundproduktnummer 2V7002 STP260 IRFZ44 AON24
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V 183 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 TO-220-3 8-PowerWFDFN
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 320mA (Ta) 120A (Tc) 51A (Tc) 20A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V 11400 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 2180 pF @ 6 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 900mV @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101 DeepGATE™, STripFET™ VI HEXFET® -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 55 V 12 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 3mOhm @ 60A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
Verlustleistung (max) 300mW (Tj) 300W (Tc) 80W (Tc) 5W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) TO-220 TO-220AB 8-DFN (2x2)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 1.8V, 4.5V

2V7002KT1G Datenblatt PDF

Laden Sie 2V7002KT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2V7002KT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf 2V7002KT1G 10/Jan/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018.pdf
Datenblätter
2N/V7002K Datasheet.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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