Spezifikation
2V7002WT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - 2V7002WT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2V7002WT1G
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
SC-70-3 (SOT323) |
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| Serie |
Automotive, AEC-Q101 |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.6Ohm @ 500mA, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
280mW (Tj) |
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| Verpackung / Gehäuse |
SC-70, SOT-323 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
24.5 pF @ 20 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
0.7 nC @ 4.5 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
60 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
310mA (Ta) |
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| Grundproduktnummer |
2V7002 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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NTD60N02RonsemiMOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
FQU10N20CTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
NDS8435AonsemiMOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
IXTP48N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
IRFI620GVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
SPI80N03S2L-04Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
2V7002KONsemi
DMN63D8L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 350MA SOT23