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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDS8435A
NDS8435A Image
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NDS8435A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS8435A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS8435A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NDS8435A.pdf
vorrätig: 5490

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Anzahl

Spezifikation

NDS8435A Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS8435A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS8435A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.9A (Ta)  
Grundproduktnummer NDS843  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS8435A.

Produkteigenschaften NDS8435A NDS8434A NDS8434A NDS8434
Artikelnummer NDS8435A NDS8434A NDS8434A NDS8434
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V 1730 pF @ 10 V 1730 pF @ 10 V 2330 pF @ 10 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.9A, 10V 24mOhm @ 7.9A, 4.5V 24mOhm @ 7.9A, 4.5V 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.9A (Ta) 7.8A (Ta) 7.8A (Ta) 6.5A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Grundproduktnummer NDS843 NDS843 - NDS843
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 55 nC @ 4.5 V 55 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - - -

NDS8435A Datenblatt PDF

Laden Sie NDS8435A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS8435A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NDS8435A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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