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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCD3400N80Z
FCD3400N80Z Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCD3400N80Z - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCD3400N80Z
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCD3400N80Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FCD3400N80Z, FCU3400N80Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48720

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Anzahl

Spezifikation

FCD3400N80Z Tech -Spezifikationen
onsemi - FCD3400N80Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCD3400N80Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 32W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer FCD3400  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCD3400N80Z.

Produkteigenschaften FCD3400N80Z FCD4N60TM FCD360N65S3R0 FCD260N65S3
Artikelnummer FCD3400N80Z FCD4N60TM FCD360N65S3R0 FCD260N65S3
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 3.9A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 100 V 540 pF @ 25 V 730 pF @ 400 V 1010 pF @ 400 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 650 V 650 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie SuperFET® II SuperFET™ SuperFET® III SuperFET® III
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA D-PAK (TO-252) TO-252AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA 5V @ 250µA 4.5V @ 1mA 4.5V @ 1.2mA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1A, 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 360mOhm @ 5A, 10V 260mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max) 32W (Tc) 50W (Tc) 83W (Tc) 90W (Tc)
Grundproduktnummer FCD3400 FCD4N60 FCD360 FCD260

FCD3400N80Z Datenblatt PDF

Laden Sie FCD3400N80Z PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCD3400N80Z - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
FCD3400N80Z, FCU3400N80Z.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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