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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCD360N65S3R0 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCD360N65S3R0
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCD360N65S3R0
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FCD360N65S3R0.pdf
RoHS Status
vorrätig: 32083

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Anzahl

Spezifikation

FCD360N65S3R0 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCD360N65S3R0 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCD360N65S3R0

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252)  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer FCD360  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCD360N65S3R0.

Produkteigenschaften FCD360N65S3R0 FCD1300N80Z FCD4N60TM FCD3400N80Z
Artikelnummer FCD360N65S3R0 FCD1300N80Z FCD4N60TM FCD3400N80Z
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 52W (Tc) 50W (Tc) 32W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 800 V 600 V 800 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 400 V 880 pF @ 100 V 540 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252) TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 4A (Tc) 3.9A (Tc) 2A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 9.6 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie SuperFET® III SuperFET® II SuperFET™ SuperFET® II
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4.5V @ 400µA 5V @ 250µA 4.5V @ 200µA
Grundproduktnummer FCD360 FCD1300 FCD4N60 FCD3400

FCD360N65S3R0 Datenblatt PDF

Laden Sie FCD360N65S3R0 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCD360N65S3R0 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
FCD360N65S3R0.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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