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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCD4N60TF
FCD4N60TF Image
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FCD4N60TF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCD4N60TF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCD4N60TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FCD4N60.pdf
vorrätig: 4700

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Anzahl

Spezifikation

FCD4N60TF Tech -Spezifikationen
onsemi - FCD4N60TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCD4N60TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A (Tc)  
Grundproduktnummer FCD4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCD4N60TF.

Produkteigenschaften FCD4N60TF FCD380N60E FCD600N60Z FCD5N60TM
Artikelnummer FCD4N60TF FCD380N60E FCD600N60Z FCD5N60TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FCD4 FCD380 - FCD5N60
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Serie SuperFET™ SuperFET® II * SuperFET™
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 106W (Tc) 89W (Tc) 54W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V 380mOhm @ 5A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 950mOhm @ 2.3A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V 1120 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A (Tc) 10.2A (Tc) 7.4A (Tc) 4.6A (Tc)

FCD4N60TF Datenblatt PDF

Laden Sie FCD4N60TF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCD4N60TF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FCD4N60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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