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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH104N60F
onsemi
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FCH104N60F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH104N60F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH104N60F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH104N60F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9132

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Anzahl

Spezifikation

FCH104N60F Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH104N60F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH104N60F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie HiPerFET™, Polar™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 18.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 357W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5950 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH104  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH104N60F.

Produkteigenschaften FCH104N60F FCH104N60 FCH099N60E FCH104N60
Artikelnummer FCH104N60F FCH104N60 FCH099N60E FCH104N60
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 18.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 99mOhm @ 18.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
Grundproduktnummer FCH104 FCH104 FCH099 FCH104
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5950 pF @ 100 V 4165 pF @ 380 V 3465 pF @ 380 V 4165 pF @ 380 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™, Polar™ SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 357W (Tc) 357W (Tc) 357W (Tc) 357W (Tc)

FCH104N60F Datenblatt PDF

Laden Sie FCH104N60F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH104N60F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Source Add 5/Aug/2022.pdf
Datenblätter
FCH104N60F.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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