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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH104N60
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH104N60 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH104N60
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH104N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH104N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

FCH104N60 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH104N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH104N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 18.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 357W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4165 pF @ 380 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH104  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH104N60.

Produkteigenschaften FCH104N60 FCH104N60 FCH099N60E FCH077N65F-F085
Artikelnummer FCH104N60 FCH104N60 FCH099N60E FCH077N65F-F085
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 18.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 99mOhm @ 18.5A, 10V 77mOhm @ 27A, 10V
Grundproduktnummer FCH104 FCH104 FCH099 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4165 pF @ 380 V 4165 pF @ 380 V 3465 pF @ 380 V 7162 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 357W (Tc) 357W (Tc) 357W (Tc) 481W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc) 54A (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FCH104N60 Datenblatt PDF

Laden Sie FCH104N60 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH104N60 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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