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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH099N65S3-F155
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH099N65S3-F155 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH099N65S3-F155
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH099N65S3-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH099N65S3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9574

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Anzahl

Spezifikation

FCH099N65S3-F155 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH099N65S3-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH099N65S3-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 227W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH099  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH099N65S3-F155.

Produkteigenschaften FCH099N65S3-F155 FCH104N60 FCH085N80-F155 FCH104N60F
Artikelnummer FCH099N65S3-F155 FCH104N60 FCH085N80-F155 FCH104N60F
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 400 V 4165 pF @ 380 V 10825 pF @ 100 V 5950 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 37A (Tc) 46A (Tc) 37A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FCH099 FCH104 - FCH104
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.6mA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 227W (Tc) 357W (Tc) 446W (Tc) 357W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 800 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 85mOhm @ 23A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II HiPerFET™, Polar™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 255 nC @ 10 V 139 nC @ 10 V

FCH099N65S3-F155 Datenblatt PDF

Laden Sie FCH099N65S3-F155 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH099N65S3-F155 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
PCN -Verpackung
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FCH099N65S3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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