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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCMT180N65S3
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCMT180N65S3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCMT180N65S3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCMT180N65S3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-PowerTSFN
Datenblatt
FCMT180N65S3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17366

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Anzahl

Spezifikation

FCMT180N65S3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCMT180N65S3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCMT180N65S3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power88  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 139W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer FCMT180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCMT180N65S3.

Produkteigenschaften FCMT180N65S3 FCMT199N60 FCMT250N65S3 FCMT299N60
Artikelnummer FCMT180N65S3 FCMT199N60 FCMT250N65S3 FCMT299N60
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 400 V 2950 pF @ 100 V 1010 pF @ 400 V 1948 pF @ 380 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 6A, 10V 299mOhm @ 6A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.8mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.2mA 3.5V @ 250µA
Serie SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 139W (Tc) 208W (Tc) 90W (Tc) 125W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FCMT180 FCMT199 FCMT250 FCMT299
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 20.2A (Tc) 12A (Tc) 12A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse Power88 Power88 Power88 Power88

FCMT180N65S3 Datenblatt PDF

Laden Sie FCMT180N65S3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCMT180N65S3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Datenblätter
FCMT180N65S3.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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