FCMT299N60 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCMT299N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCMT299N60

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	Power88
Serie	SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	4-PowerTSFN
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1948 pF @ 380 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Ta)
Grundproduktnummer	FCMT299

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCMT299N60.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	FCMT299N60	FCMT199N60	FCMT180N65S3	FCMT250N65S3
Hersteller	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V	74 nC @ 10 V	33 nC @ 10 V	24 nC @ 10 V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	208W (Tc)	139W (Tc)	90W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V	600 V	650 V	650 V
Verpackung / Gehäuse	4-PowerTSFN	4-PowerTSFN	4-PowerTSFN	4-PowerTSFN
FET-Merkmal	-	-	-	-
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1948 pF @ 380 V	2950 pF @ 100 V	1350 pF @ 400 V	1010 pF @ 400 V
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	3.5V @ 250µA	4.5V @ 1.8mA	4.5V @ 1.2mA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Grundproduktnummer	FCMT299	FCMT199	FCMT180	FCMT250
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Ta)	20.2A (Tc)	17A (Tc)	12A (Tc)
Vgs (Max)	±20V	±20V	±30V	±30V
Supplier Device-Gehäuse	Power88	Power88	Power88	Power88
Serie	SuperFET® II	SuperFET® II	SuperFET® III	SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6A, 10V	199mOhm @ 10A, 10V	180mOhm @ 8.5A, 10V	250mOhm @ 6A, 10V

FCMT299N60 Datenblatt PDF

Laden Sie FCMT299N60 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCMT299N60 - onsemi herunter.

Umweltinformationen: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation: Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung: Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: FCMTx99N60 17/Nov/2022.pdf
Datenblätter: FCMT299N60.pdf

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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