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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCMT250N65S3
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCMT250N65S3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCMT250N65S3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCMT250N65S3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-PowerTSFN
Datenblatt
FCMT250N65S3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15079

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Anzahl

Spezifikation

FCMT250N65S3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCMT250N65S3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCMT250N65S3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power88  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer FCMT250  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCMT250N65S3.

Produkteigenschaften FCMT250N65S3 FCMT180N65S3 FCMT299N60 FCMT199N60
Artikelnummer FCMT250N65S3 FCMT180N65S3 FCMT299N60 FCMT199N60
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FCMT250 FCMT180 FCMT299 FCMT199
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA 4.5V @ 1.8mA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 139W (Tc) 125W (Tc) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse Power88 Power88 Power88 Power88
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 8.5A, 10V 299mOhm @ 6A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 17A (Tc) 12A (Ta) 20.2A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V 1350 pF @ 400 V 1948 pF @ 380 V 2950 pF @ 100 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie SuperFET® III SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II

FCMT250N65S3 Datenblatt PDF

Laden Sie FCMT250N65S3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCMT250N65S3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Datenblätter
FCMT250N65S3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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