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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF16N60
FCPF16N60 Image
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FCPF16N60 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF16N60
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF16N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCP16N60, FCPF16N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20790

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Anzahl

Spezifikation

FCPF16N60 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF16N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF16N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 37.9W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF16  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF16N60.

Produkteigenschaften FCPF16N60 FCPF16N60NT FCPF190N65S3L1 FCPF13N60NT
Artikelnummer FCPF16N60 FCPF16N60NT FCPF190N65S3L1 FCPF13N60NT
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 52.3 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 39.5 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 14A (Tc) 13A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Verlustleistung (max) 37.9W (Tc) 35.7W (Tc) 33W (Tc) 33.8W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
Serie SuperFET™ SupreMOS™ SuperFET® III SuperMOS™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 1.4mA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Grundproduktnummer FCPF16 - FCPF190 FCPF13
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 8A, 10V 199mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 7A, 10V 258mOhm @ 6.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 2170 pF @ 100 V 1225 pF @ 400 V 1765 pF @ 100 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

FCPF16N60 Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF16N60 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF16N60 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FCP16N60, FCPF16N60.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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