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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF13N60NT
FCPF13N60NT Image
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FCPF13N60NT - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF13N60NT
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF13N60NT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCP13N60N, FCPF13N60NT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21220

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Anzahl

Spezifikation

FCPF13N60NT Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF13N60NT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF13N60NT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie SuperMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 258mOhm @ 6.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 33.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1765 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF13N60NT.

Produkteigenschaften FCPF13N60NT FCPF11N60T FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L
Artikelnummer FCPF13N60NT FCPF11N60T FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 33.8W (Tc) 36W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39.5 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1765 pF @ 100 V 1490 pF @ 25 V 1415 pF @ 400 V 1415 pF @ 400 V
Grundproduktnummer FCPF13 FCPF11 FCPF165 -
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F TO-220F-3 TO-220F-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 258mOhm @ 6.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V
Serie SuperMOS™ SuperFET™ SuperFET® III SuperFET® III
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 11A (Tc) 19A (Tc) 19A (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 1.9mA 4.5V @ 410µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FCPF13N60NT Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF13N60NT PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF13N60NT - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 25/Sep/2019.pdf
Datenblätter
FCP13N60N, FCPF13N60NT.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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