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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF150N65F
FCPF150N65F Image
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FCPF150N65F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF150N65F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF150N65F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCPF150N65F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17003

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Anzahl

Spezifikation

FCPF150N65F Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF150N65F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF150N65F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.9A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF150N65F.

Produkteigenschaften FCPF150N65F FCPF16N60NT FCPF16N60 FCPF125N65S3
Artikelnummer FCPF150N65F FCPF16N60NT FCPF16N60 FCPF125N65S3
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.9A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) 24A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 2.4mA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 39W (Tc) 35.7W (Tc) 37.9W (Tc) 38W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 52.3 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Serie - SupreMOS™ SuperFET™ SuperFET® III
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F
Grundproduktnummer FCPF150 FCPF16 FCPF16 FCPF125
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V 2170 pF @ 100 V 2250 pF @ 25 V 1790 pF @ 400 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 650 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V 199mOhm @ 8A, 10V 260mOhm @ 8A, 10V 125mOhm @ 12A, 10V

FCPF150N65F Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF150N65F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF150N65F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FCPF150N65F.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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