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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA032N08
FDA032N08 Image
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FDA032N08 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDA032N08
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDA032N08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA032N08.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13164

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Anzahl

Spezifikation

FDA032N08 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDA032N08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDA032N08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15160 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer FDA032  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDA032N08.

Produkteigenschaften FDA032N08 FDA16N50LDTU FDA18N50 FDA18N50
Artikelnummer FDA032N08 FDA16N50LDTU FDA18N50 FDA18N50
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 500 V 500 V 500 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 265mOhm @ 9.5A, 10V 265mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 205W (Tc) 239W (Tc) 239W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15160 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® - UniFET™ UniFET™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 16.5A (Tc) 19A (Tc) 19A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN (L-Forming) TO-3PN TO-3PN
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDA032 - FDA18 -
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDA032N08 Datenblatt PDF

Laden Sie FDA032N08 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDA032N08 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDA032N08.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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