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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA16N50LDTU
Fairchild Semiconductor
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FDA16N50LDTU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDA16N50LDTU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDA16N50LDTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
Datenblatt
FDA16N50LDTU.pdf
vorrätig: 29299

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Spezifikation

FDA16N50LDTU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDA16N50LDTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDA16N50LDTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN (L-Forming)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 8.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 205W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1945 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDA16N50LDTU.

Produkteigenschaften FDA16N50LDTU FDA16N50 FDA20N50-F109 FDA16N50
Artikelnummer FDA16N50LDTU FDA16N50 FDA20N50-F109 FDA16N50
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Serie - UniFET™ UniFET™ UniFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.5A (Tc) 16.5A (Tc) 22A (Tc) 16.5A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1945 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN (L-Forming) TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 205W (Tc) 205W (Tc) 280W (Tc) 205W (Tc)
Paket Bulk Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 8.3A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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