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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA15N65
FDA15N65 Image
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FDA15N65 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDA15N65
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDA15N65
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 16A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA15N65.pdf
vorrätig: 5280

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Anzahl

Spezifikation

FDA15N65 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDA15N65 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDA15N65

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 260W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3095 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer FDA15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDA15N65.

Produkteigenschaften FDA15N65 FDA16N50LDTU FDA16N50 FDA15N65
Artikelnummer FDA15N65 FDA16N50LDTU FDA16N50 FDA15N65
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Paket Tube Bulk Tube Tube
Grundproduktnummer FDA15 - FDA16 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 8A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 440mOhm @ 8A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3095 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3095 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie UniFET™ - UniFET™ UniFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 500 V 500 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 16.5A (Tc) 16.5A (Tc) 16A (Tc)
Verlustleistung (max) 260W (Tc) 205W (Tc) 205W (Tc) 260W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN (L-Forming) TO-3PN TO-3PN
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

FDA15N65 Datenblatt PDF

Laden Sie FDA15N65 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDA15N65 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Datenblätter
FDA15N65.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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