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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA20N50
Fairchild Semiconductor
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FDA20N50 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDA20N50
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDA20N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA20N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14005

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Anzahl

Spezifikation

FDA20N50 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDA20N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDA20N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 11A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDA20N50.

Produkteigenschaften FDA20N50 FDA16N50 FDA16N50LDTU FDA20N50-F109
Artikelnummer FDA20N50 FDA16N50 FDA16N50LDTU FDA20N50-F109
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 16.5A (Tc) 16.5A (Tc) 22A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie UniFET™ UniFET™ - UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN (L-Forming) TO-3PN
FET-Merkmal - - - -

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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