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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB5645
FDB5645 Image
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FDB5645 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB5645
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB5645
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDP5645, FDB5645.pdf
vorrätig: 4610

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Spezifikation

FDB5645 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB5645 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB5645

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4468 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Ta)  
Grundproduktnummer FDB564  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB5645.

Produkteigenschaften FDB5645 FDB5690 FDB5645 FDB6021P
Artikelnummer FDB5645 FDB5690 FDB5645 FDB6021P
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 20 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer FDB564 - - FDB602
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 58W (Tc) 125W (Tc) 37W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4468 pF @ 30 V 1120 pF @ 25 V 4468 pF @ 30 V 1890 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 40A, 10V 27mOhm @ 16A, 10V 9.5mOhm @ 40A, 10V 30mOhm @ 14A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Ta) 32A (Tc) 80A (Ta) 28A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)

FDB5645 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB5645 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB5645 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDP5645, FDB5645.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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