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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB5690
FDB5690 Image
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FDB5690 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB5690
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB5690
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB5690, FDP5690.pdf
vorrätig: 3940

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Spezifikation

FDB5690 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB5690 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB5690

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 58W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB569  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB5690.

Produkteigenschaften FDB5690 FDB52N20TM FDB5680 FDB6021P
Artikelnummer FDB5690 FDB52N20TM FDB5680 FDB6021P
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 60 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 16A, 10V 49mOhm @ 26A, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 30mOhm @ 14A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 52A (Tc) 40A (Tc) 28A (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 1.8V, 4.5V
Grundproduktnummer FDB569 - - -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-263AB D2PAK (TO-263)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1120 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1890 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 58W (Tc) 357W (Tc) 65W (Tc) 37W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Serie PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDB5690 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB5690 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB5690 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Datenblätter
FDB5690, FDP5690.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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