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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB5800
FDB5800 Image
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FDB5800 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB5800
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB5800
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB5800.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19603

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Anzahl

Spezifikation

FDB5800 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB5800 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB5800

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 242W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6625 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 80A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB580  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB5800.

Produkteigenschaften FDB5800 FDB5645 FDB6030BL FDB6030BL
Artikelnummer FDB5800 FDB5645 FDB6030BL FDB6030BL
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 80A (Tc) 80A (Ta) 40A (Tc) 40A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6625 pF @ 15 V 4468 pF @ 30 V 1160 pF @ 15 V 1160 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FDB580 FDB564 - FDB603
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 80A, 10V 9.5mOhm @ 40A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 242W (Tc) 125W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

FDB5800 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB5800 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB5800 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
FDB5800.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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