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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMA3027PZ
FDMA3027PZ Image
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FDMA3027PZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMA3027PZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMA3027PZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
FDMA3027PZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

FDMA3027PZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMA3027PZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMA3027PZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 87mOhm @ 3.3A, 10V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMA3027  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMA3027PZ.

Produkteigenschaften FDMA3027PZ FDMA2002NZ FDMA3028N FDMA2002NZ
Artikelnummer FDMA3027PZ FDMA2002NZ FDMA3028N FDMA2002NZ
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 3nC @ 4.5V 5.2nC @ 5V 3nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V 220pF @ 15V 375pF @ 15V 220pF @ 15V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDMA3027 FDMA2002 FDMA3028 FDMA2002
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 700mW 650mW 700mW 650mW
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A 2.9A 3.8A 2.9A
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 87mOhm @ 3.3A, 10V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 68mOhm @ 3.8A, 4.5V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad

FDMA3027PZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDMA3027PZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMA3027PZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Marking Content 19/Nov/2013.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDMA3027PZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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