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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMA2002NZ
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMA2002NZ - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMA2002NZ
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMA2002NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
FDMA2002NZ.pdf
vorrätig: 4710

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Spezifikation

FDMA2002NZ Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMA2002NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMA2002NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 123mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Leistung - max 650mW  
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMA2002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMA2002NZ.

Produkteigenschaften FDMA2002NZ FDMA3027PZ FDMA1029PZ FDMA2002NZ
Artikelnummer FDMA2002NZ FDMA3027PZ FDMA1029PZ FDMA2002NZ
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad
Leistung - max 650mW 700mW 700mW 650mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 87mOhm @ 3.3A, 10V 95mOhm @ 3.1A, 4.5V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 10nC @ 10V 10nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V 435pF @ 15V 540pF @ 10V 220pF @ 15V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-WDFN (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FDMA2002 FDMA3027 FDMA1029 FDMA2002
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A 3.3A 3.1A 2.9A
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 20V 30V

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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