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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMA291P
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMA291P - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMA291P
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMA291P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
FDMA291P.pdf
vorrätig: 4040

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Anzahl

Spezifikation

FDMA291P Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMA291P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMA291P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMA291P.

Produkteigenschaften FDMA291P FDMA410NZ FDMA291P FDMA410NZ
Artikelnummer FDMA291P FDMA410NZ FDMA291P FDMA410NZ
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V 1080 pF @ 10 V 1000 pF @ 10 V 1080 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Ta) 9.5A (Ta) 6.6A (Ta) 9.5A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.6A, 4.5V 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 42mOhm @ 6.6A, 4.5V 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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