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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMA910PZ
FDMA910PZ Image
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FDMA910PZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMA910PZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMA910PZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
FDMA910PZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 102490

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Anzahl

Spezifikation

FDMA910PZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMA910PZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMA910PZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2805 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Ta)  
Grundproduktnummer FDMA910  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMA910PZ.

Produkteigenschaften FDMA910PZ FDMA910PZ FDMA8884 FDMA8884
Artikelnummer FDMA910PZ FDMA910PZ FDMA8884 FDMA8884
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)
Grundproduktnummer FDMA910 - - FDMA88
Supplier Device-Gehäuse 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2805 pF @ 10 V 2805 pF @ 10 V 450 pF @ 15 V 450 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.4A, 4.5V 20mOhm @ 9.4A, 4.5V 23mOhm @ 6.5A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Ta) 9.4A (Ta) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

FDMA910PZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDMA910PZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMA910PZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Marking Content 19/Nov/2013.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMA910PZ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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