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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMB3900AN
onsemi
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FDMB3900AN - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMB3900AN
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMB3900AN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMB3900AN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5010

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Anzahl

Spezifikation

FDMB3900AN Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMB3900AN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMB3900AN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP, MicroFET (3x1.9)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 800mW  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 13V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMB3900  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMB3900AN.

Produkteigenschaften FDMB3900AN FDMB2307NZ FDMC007N30D FDMB2308PZ
Artikelnummer FDMB3900AN FDMB2307NZ FDMC007N30D FDMB2308PZ
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN 6-WDFN Exposed Pad
Grundproduktnummer FDMB3900 FDMB2307 FDMC007 FDMB2308
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 13V - 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V 3030pF @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA - 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Leistung - max 800mW 800mW 1.9W, 2.5W 800mW
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V - 30V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 28nC @ 5V 34nC @ 10V 30nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A - 46A -
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 6-MLP (2x3) 8-Power33 (3x3) 6-MLP (2x3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V - 11.6mOhm @ 10A, 10V 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDMB3900AN Datenblatt PDF

Laden Sie FDMB3900AN PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMB3900AN - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMB3900AN.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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