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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMC8200
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMC8200 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC8200
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC8200
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8POWER33
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC8200.pdf
RoHS Status
vorrätig: 73930

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Anzahl

Spezifikation

FDMC8200 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC8200 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC8200

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-Power33 (3x3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 700mW, 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A, 12A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMC82  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC8200.

Produkteigenschaften FDMC8200 FDMC8298 FDMC8030 FDMC8097AC
Artikelnummer FDMC8200 FDMC8298 FDMC8030 FDMC8097AC
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN Die 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Leistung - max 700mW, 900mW - 800mW 1.9W
Serie PowerTrench® - PowerTrench® PowerTrench®
Grundproduktnummer FDMC82 FDMC82 FDMC80 FDMC8097
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V - 10mOhm @ 12A, 10V 155mOhm @ 2.4A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-Power33 (3x3) Die 8-Power33 (3x3) 8-Power33 (3x3)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA - 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A, 12A - 12A 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V - 1975pF @ 20V 395pF @ 75V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V - 40V 150V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V - 30nC @ 10V 6.2nC @ 10V

FDMC8200 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC8200 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC8200 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMC8200.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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