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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMC8200S
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMC8200S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC8200S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC8200S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC8200S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50020

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Anzahl

Spezifikation

FDMC8200S Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC8200S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC8200S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-Power33 (3x3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 700mW, 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A, 8.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDMC82  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC8200S.

Produkteigenschaften FDMC8200S FDMC8200 FDMC8298 FDMC8097AC
Artikelnummer FDMC8200S FDMC8200 FDMC8298 FDMC8097AC
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN Die 8-PowerWDFN
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 4V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 700mW, 1W 700mW, 900mW - 1.9W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 10nC @ 10V - 6.2nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V 660pF @ 15V - 395pF @ 75V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V - 150V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A, 8.5A 8A, 12A - 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V 20mOhm @ 6A, 10V - 155mOhm @ 2.4A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Grundproduktnummer FDMC82 FDMC82 FDMC82 FDMC8097
Supplier Device-Gehäuse 8-Power33 (3x3) 8-Power33 (3x3) Die 8-Power33 (3x3)
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®

FDMC8200S Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC8200S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC8200S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMC8200S.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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