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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC8296
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMC8296 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC8296
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC8296
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC8296.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5140

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Anzahl

Spezifikation

FDMC8296 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC8296 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC8296

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1385 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 18A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC82  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC8296.

Produkteigenschaften FDMC8296 FDMC8327L FDMC8026S FDMC8321LDC
Artikelnummer FDMC8296 FDMC8327L FDMC8026S FDMC8321LDC
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer FDMC82 - FDMC8026 FDMC8321
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 27W (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 30 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) Dual Cool ™ 33
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V 9.7mOhm @ 12A, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V 2.5mOhm @ 27A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 18A (Tc) 12A (Ta), 14A (Tc) 19A (Ta), 21A (Tc) 27A (Ta), 108A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1385 pF @ 15 V 1850 pF @ 20 V 3165 pF @ 15 V 3965 pF @ 20 V

FDMC8296 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC8296 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC8296 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDMC8296.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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