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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS7572S
onsemi
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FDMS7572S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS7572S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS7572S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS7572S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55510

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Anzahl

Spezifikation

FDMS7572S Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS7572S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS7572S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 49A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS7572  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS7572S.

Produkteigenschaften FDMS7572S FDMS7558S FDMS7570S FDMS7580
Artikelnummer FDMS7572S FDMS7558S FDMS7570S FDMS7580
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Serie PowerTrench®, SyncFET™ - PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Grundproduktnummer FDMS7572 FDMS75 FDMS7570 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 49A (Tc) 32A (Ta), 49A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 15A (Ta), 29A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 13 V 7770 pF @ 13 V 4515 pF @ 13 V 1190 pF @ 13 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 23A, 10V 1.25mOhm @ 32A, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V
FET-Merkmal - - - -

FDMS7572S Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS7572S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS7572S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
FDMSyyy 16/Mar/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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