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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS7570S
Fairchild Semiconductor
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FDMS7570S - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMS7570S
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS7570S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS7570S.pdf
vorrätig: 62560

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Anzahl

Spezifikation

FDMS7570S Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMS7570S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMS7570S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4515 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 49A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMS7570S.

Produkteigenschaften FDMS7570S FDMS7580 FDMS7558S FDMS7560S
Artikelnummer FDMS7570S FDMS7580 FDMS7558S FDMS7560S
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4515 pF @ 13 V 1190 pF @ 13 V 7770 pF @ 13 V 5945 pF @ 13 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® - PowerTrench®, SyncFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 49A (Tc) 15A (Ta), 29A (Tc) 32A (Ta), 49A (Tc) 30A (Ta), 49A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95mOhm @ 28A, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V 1.25mOhm @ 32A, 10V 1.45mOhm @ 30A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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