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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS7580
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS7580 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS7580
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS7580
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS7580.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60480

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Anzahl

Spezifikation

FDMS7580 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS7580 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS7580

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 29A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS7580.

Produkteigenschaften FDMS7580 FDMS7570S FDMS7572S FDMS7580
Artikelnummer FDMS7580 FDMS7570S FDMS7572S FDMS7580
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 29A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 23A (Ta), 49A (Tc) 15A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15A, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V 2.9mOhm @ 23A, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Grundproduktnummer FDMS75 - FDMS7572 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V 4515 pF @ 13 V 2780 pF @ 13 V 1190 pF @ 13 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V

FDMS7580 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS7580 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS7580 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Datenblätter
FDMS7580.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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