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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS86102LZ
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS86102LZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS86102LZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS86102LZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS86102LZ Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39885

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Anzahl

Spezifikation

FDMS86102LZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS86102LZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS86102LZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1305 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 22A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86102  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS86102LZ.

Produkteigenschaften FDMS86102LZ FDMS8560S FDMS8570S FDMS86101A
Artikelnummer FDMS86102LZ FDMS8560S FDMS8570S FDMS86101A
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 25 V 25 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 22A (Tc) 30A (Ta), 70A (Tc) 24A (Ta), 60A (Tc) 13A (Ta), 60A (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1305 pF @ 50 V 4350 pF @ 13 V 2825 pF @ 13 V 4120 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 425 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FDMS86102 FDMS85 FDMS85 FDMS86101
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

FDMS86102LZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS86102LZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS86102LZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMS86102LZ Datasheet.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 21/Feb/2019.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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