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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS8570S
Fairchild Semiconductor
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FDMS8570S - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMS8570S
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS8570S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS8570S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79350

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Anzahl

Spezifikation

FDMS8570S Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMS8570S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMS8570S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 24A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2825 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 425 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta), 60A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS85  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMS8570S.

Produkteigenschaften FDMS8570S FDMS8558S FDMS8558S FDMS8570S
Artikelnummer FDMS8570S FDMS8558S FDMS8558S FDMS8570S
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2825 pF @ 13 V 5118 pF @ 13 V 5118 pF @ 13 V 2825 pF @ 13 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta), 60A (Tc) 33A (Ta), 90A (Tc) 33A (Ta), 90A (Tc) 24A (Ta), 60A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 425 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 425 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FDMS85 FDMS85 FDMS85 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 24A, 10V 1.5mOhm @ 33A, 10V 1.5mOhm @ 33A, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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