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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS86103L
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS86103L - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMS86103L
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS86103L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS86103L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22263

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Anzahl

Spezifikation

FDMS86103L Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMS86103L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMS86103L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 49A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMS86103  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMS86103L.

Produkteigenschaften FDMS86103L FDMS86163P FDMS86150A FDMS86102LZ
Artikelnummer FDMS86103L FDMS86163P FDMS86150A FDMS86102LZ
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Grundproduktnummer FDMS86103 FDMS86163 - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V 22mOhm @ 7.9A, 10V 4.85mOhm @ 16A, 10V 25mOhm @ 7A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 50 V 4085 pF @ 50 V 4665 pF @ 50 V 1305 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 49A (Tc) 7.9A (Ta), 50A (Tc) 16A (Ta), 60A (Tc) 7A (Ta), 22A (Tc)
FET-Merkmal - - - -

FDMS86103L Datenblatt PDF

Laden Sie FDMS86103L PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMS86103L - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Cancellation 20/Feb/2020.pdf
Datenblätter
FDMS86103L.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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