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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF5N50NZU
FDPF5N50NZU Image
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FDPF5N50NZU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF5N50NZU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF5N50NZU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF5N50NZU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4920

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Anzahl

Spezifikation

FDPF5N50NZU Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF5N50NZU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF5N50NZU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET-II™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.95A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF5N50NZU.

Produkteigenschaften FDPF5N50NZU FDPF5N50UT FDPF5N50NZU FDPF5N50NZ
Artikelnummer FDPF5N50NZU FDPF5N50UT FDPF5N50NZU FDPF5N50NZ
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A (Tc) 4A (Tc) 3.9A (Tc) 4.5A (Tc)
Serie UniFET-II™ FRFET® UniFET-II™ UniFET-II™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.95A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 2Ohm @ 1.95A, 10V 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 28W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer FDPF5 - - FDPF5
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDPF5N50NZU Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF5N50NZU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF5N50NZU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
Datenblätter
FDPF5N50NZU.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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