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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF5N50UT
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDPF5N50UT - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDPF5N50UT
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF5N50UT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF5N50UT.pdf
vorrätig: 73210

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Anzahl

Spezifikation

FDPF5N50UT Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDPF5N50UT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDPF5N50UT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDPF5N50UT.

Produkteigenschaften FDPF5N50UT FDPF5N50T FDPF5N50NZU FDPF5N50NZU
Artikelnummer FDPF5N50UT FDPF5N50T FDPF5N50NZU FDPF5N50NZU
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 5A (Tc) 3.9A (Tc) 3.9A (Tc)
Serie FRFET® UniFET™ UniFET-II™ UniFET-II™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 28W (Tc) 28W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 2Ohm @ 1.95A, 10V 2Ohm @ 1.95A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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