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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF5N50NZ
FDPF5N50NZ Image
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FDPF5N50NZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF5N50NZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF5N50NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF5N50NZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28334

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Anzahl

Spezifikation

FDPF5N50NZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF5N50NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF5N50NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET-II™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF5N50NZ.

Produkteigenschaften FDPF5N50NZ FDPF44N25TRDTU FDPF55N06 FDPF4N60NZ
Artikelnummer FDPF5N50NZ FDPF44N25TRDTU FDPF55N06 FDPF4N60NZ
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F (LG-Formed) TO-220F-3 TO-220F-3
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 38W (Tc) 48W (Tc) 28W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 2870 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V
Grundproduktnummer FDPF5 - - FDPF4
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc) 44A (Tc) 55A (Tc) 3.8A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 250 V 60 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.25A, 10V 69mOhm @ 22A, 10V 22mOhm @ 27.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.9A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 10.8 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Serie UniFET-II™ UniFET™ UniFET™ UniFET-II™
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

FDPF5N50NZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF5N50NZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF5N50NZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Parts obs 30/Jun/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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