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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS8670
FDS8670 Image
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FDS8670 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS8670
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8670
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8670.pdf
vorrätig: 3940

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Anzahl

Spezifikation

FDS8670 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS8670 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS8670

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4040 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS86  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS8670.

Produkteigenschaften FDS8670 FDS8690 FDS8672S FDS86540
Artikelnummer FDS8670 FDS8690 FDS8672S FDS86540
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FDS86 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta) 14A (Ta) 18A (Ta) 18A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 21A, 10V 7.6mOhm @ 14A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 8V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4040 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V 2670 pF @ 15 V 6410 pF @ 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

FDS8670 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS8670.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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