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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS8672S
FDS8672S Image
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FDS8672S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS8672S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8672S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8672S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40850

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Anzahl

Spezifikation

FDS8672S Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS8672S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS8672S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS8672  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS8672S.

Produkteigenschaften FDS8672S FDS8690 FDS8670 FDS8672S
Artikelnummer FDS8672S FDS8690 FDS8670 FDS8672S
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 18A, 10V 7.6mOhm @ 14A, 10V 3.7mOhm @ 21A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta) 14A (Ta) 21A (Ta) 18A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer FDS8672 FDS86 FDS86 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V 4040 pF @ 15 V 2670 pF @ 15 V

FDS8672S Datenblatt PDF

Laden Sie FDS8672S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS8672S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Jul/2021.pdf
Datenblätter
FDS8672S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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