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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS8690
Fairchild Semiconductor
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FDS8690 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDS8690
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8690
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8690.pdf
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

FDS8690 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDS8690 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDS8690

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDS8690.

Produkteigenschaften FDS8690 FDS8670 FDS8672S FDS8690
Artikelnummer FDS8690 FDS8670 FDS8672S FDS8690
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 14A, 10V 3.7mOhm @ 21A, 10V 4.8mOhm @ 18A, 10V 7.6mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 15 V 4040 pF @ 15 V 2670 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 21A (Ta) 18A (Ta) 14A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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