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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA12P20
FQA12P20 Image
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FQA12P20 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA12P20
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA12P20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA12P20.pdf
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

FQA12P20 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA12P20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA12P20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470mOhm @ 6.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA12P20.

Produkteigenschaften FQA12P20 FQA11N90 FQA11N90C FQA11N90C-F109
Artikelnummer FQA12P20 FQA11N90 FQA11N90C FQA11N90C-F109
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470mOhm @ 6.3A, 10V 960mOhm @ 5.7A, 10V 1.1Ohm @ 5.5A, 10V -
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P -
Grundproduktnummer FQA1 FQA1 FQA1 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Tc) 11.4A (Tc) 11A (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V -
Paket Tube Tube Tube Bulk
Serie QFET® QFET® QFET® *
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 900 V 900 V -
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -

FQA12P20 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA12P20 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA12P20 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQA12P20.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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