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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA13N50CF
FQA13N50CF Image
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FQA13N50CF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA13N50CF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA13N50CF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA13N50CF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

FQA13N50CF Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA13N50CF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA13N50CF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 218W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2055 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA13N50CF.

Produkteigenschaften FQA13N50CF FQA140N10 FQA13N50C FQA13N80
Artikelnummer FQA13N50CF FQA140N10 FQA13N50C FQA13N80
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 140A (Tc) 13.5A (Tc) 12.6A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2055 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 218W (Tc) 375W (Tc) 218W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 500 V 800 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 7.5A, 10V 10mOhm @ 70A, 10V 480mOhm @ 6.75A, 10V 750mOhm @ 6.3A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3P TO-3PN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FQA13 FQA140 FQA1 -

FQA13N50CF Datenblatt PDF

Laden Sie FQA13N50CF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA13N50CF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015.pdf
Datenblätter
FQA13N50CF.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FQA13N50CF

onsemi
32D-FQA13N50CF

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