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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA13N80-F109
FQA13N80-F109 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQA13N80-F109 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA13N80-F109
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA13N80-F109
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA13N80-F109.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14547

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Anzahl

Spezifikation

FQA13N80-F109 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA13N80-F109 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA13N80-F109

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 6.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA13N80-F109.

Produkteigenschaften FQA13N80-F109 FQA16N50 FQA14N30 FQA14N30
Artikelnummer FQA13N80-F109 FQA16N50 FQA14N30 FQA14N30
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3P TO-3P TO-3P
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FQA13 - FQA1 -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 500 V 300 V 300 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 6.3A, 10V 320mOhm @ 8A, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Tc) 16A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 200W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)

FQA13N80-F109 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA13N80-F109 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA13N80-F109 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FQA13N80-F109.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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