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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA44N08
FQA44N08 Image
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FQA44N08 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA44N08
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA44N08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 49.8A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA44N08.pdf
vorrätig: 4550

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Anzahl

Spezifikation

FQA44N08 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA44N08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA44N08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 24.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 163W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49.8A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA44N08.

Produkteigenschaften FQA44N08 FQA46N15 FQA40N25 FQA47P06
Artikelnummer FQA44N08 FQA46N15 FQA40N25 FQA47P06
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 24.9A, 10V 42mOhm @ 25A, 10V 70mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 27.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FQA4 FQA46 FQA40 FQA4
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 163W (Tc) 250W (Tc) 280W (Tc) 214W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 150 V 250 V 60 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3PN TO-3P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49.8A (Tc) 50A (Tc) 40A (Tc) 55A (Tc)

FQA44N08 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA44N08 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA44N08 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQA44N08.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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